25H3878 GT25H3878 TRANSISTOR
Product Title: GT25H3878 (25H3878) High-Power IGBT Transistor (TO-220F)
Product Specifications:
- Part Number: GT25H3878 / 25H3878
- Device Type: N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
- Package / Case: TO-220F (Full Pack)
- Pin Count: 3 Pins
- Collector-Emitter Voltage (V_{CES}): 900V
- Collector Current (I_C): 25A
Short Description: High-performance Toshiba GT25H3878 (25H3878) N-Channel IGBT housed in an insulated TO-220F package. Rated for 900V collector-emitter breakdown voltage and 25A current capacity. Engineered specifically for high-voltage power switching applications, motor control inverters, induction cooktop circuits, and power supply repairs.
IC උපාංග සහ Parts නැවත බර ගනු නොලැබේ | හුවමාරුවක් නැත | වගකීමක් නැත | මුදල් ආපසු ගෙවීමක් නැත කරුණාකර ඔබගේ අංකය පරීක්ෂා කර එය ඔබගේ පවතින නිෂ්පාදනය සමඟ ගලපන්න. ඔබ මෙම නිෂ්පාදනය අපගේ වෙබ් අඩවියෙන් මිලදී ගෙන එය මවු පුවරුවේ සවි කළ විට, එය ඔබේම අවදානම මත පවතිනු ඇත. කිසිදු දෝෂයකට අප වග කියනු නොලැබේ.
550.00 Rs
550.00 Rs
-
Hardware Warranty